ZHM合金生产工艺是什么呢？钼锆铪碳合金是由0.4~0.7锆、1.2~2.1铪、0.15~0.27碳组成的钼合金，使钼锆铪碳合金比MHC具有更佳的性能，不但具有极好的加工性能，而且还具有较好的高温强度和低温延性。钼锆铪碳合金是有粉末冶金制成的锭子，经成锭后烧结，在变形量达60%时，其拉伸强度比其他合金的要高出20%，各方向的延伸率1%~10%，不同的加工及热处理对最终合金的性能影响很大。更多信息，请访问：http://www.molybdenum.com.cn/Chinese/ZHM.html。钼锆铪碳合金是一种新型钼合金，标记为ZHM合金。它们的室温拉伸强度比TZM合金约高出40%~50%，是强度最高的钼合金。由粉末冶金烧结成锭后在1200℃锻造加工，变形量50%~75%或更高，中间8小时1200℃的氢气退火。不同的加工及热处理对合金最后的性能影响很大。这种合金尚处于开发阶段，主要由锭加工成盘材，作为粉末高温合金的等温锻造模具。更多信息，请访问：钼合金。

钼锆铪碳合金，ZHM合金制备方法通常为粉末冶金，其是将高纯度钼粉混合铪氢化，氢化锆和碳以等静压成型或压制成型，再经烧结，碱洗以及机加工等步骤完成生产。等静压适合按大，形状复杂的零件，锻造，轧制粗糙，其等静压的压力为150兆帕，和烧结的压制品在氢气炉中，细晶粒大小的烧结体的密度可能高达95％~98％的理论值。其常用的成分比例为Mo +1.5％Hf +0.5％Zr +0.2％。更多信息，请访问：http://hafnium-zirconium-molybdenum.com/big5/zhm-alloy-preparation.html。ZHM合金组成成分的热性能如下:更多信息，请访问：钼锆铪碳合金。

钼锆铪碳合金，ZHM用途有哪些呢？钼锆铪碳合金是以钼为基体元素同合金元素锆、铪、碳所组成的合金，将其加工成锭的建成，作为高温合金粉末等温锻造模具。由于钼锆铪碳合金具有较好的高温强度和低温延性，使其广泛应用于制造玻璃和玻璃纤维、高温热屏蔽、退火灯丝电极、高温容器和部件磁控管等。钼锆铪碳合金不但是钼合金强度最高的，而且还具有低温延性等优异的性能，使钼锆铪碳合金成为未来的一个超级合金。更多信息，请访问：http://hafnium-zirconium-molybdenum.com/big5/zhm-alloy-applications.html。在钼锆铪碳合金中，其室温下的抗拉强度高于TZM钼合金的约40％至50％，是强度最高的钼合金，具有优异的性能。可用于高速旋转的X射线管，空间反应堆的核心热管，炉加热，抗张强度，延展性。更多信息，请访问：钼锆铪合金。

锆铪碳钼合金，ZHM种类有哪些呢？ZHM合金是锆、铪和碳与钼组成的一种新型钼合金，其具有极好的加工性能和低温延性等性能。ZHM合金是由粉末冶金烧结成锭后在不同的加工及热处理对合金最后的性能影响很大。这种ZHM合金正处于开发阶段，主要由锭加工成盘材，作为粉末高温合金的等温锻造模具。由于锆铪碳钼合金具有良好的加工性能，在其合金系中又可以分为：ZHM4、ZHM6、ZHM7、ZHM8等四种合金，该合金都具有良好的低温延性。更多信息，请访问：http://hafnium-zirconium-molybdenum.com/big5/zhm-alloy-properties.html。ZHM合金在高温条件下的拉伸强度和延伸性如下：更多信息，请访问：钼锆铪合金。

钼铪碳合金，MHC合金用途有哪些呢？钼铪碳合金是以添加Hf代替Ti的用形成的合金，其具有良好的耐高温性能，较高的热导率，低的热膨胀系数和高的再结晶温度等。因此钼铪碳合金广泛应用于真空炉、玻璃熔炼、电子器件、热阱热加工工具、炉子安装用具、火箭助推器和烧结舟皿等。钼铪碳合金的性能与加工变形程度，热处理条件有很大关系，在第一次挤压操作前，加热到至少350℃下的电路小片电路小片的温度不应低于250℃在印刷机操作之间的时间间隔。更多信息，请访问：http://molybdenum-hafnium-carbon.com/chinese/MHC-uses.html。MHC合金(钼铪碳合金)的分类 更多信息，请访问：钼铪碳合金。

MHC合金种类有哪些呢？钼铪碳合金是以钼为基体添加铪和碳所组成的合金，其不但具有有耐高温，较高的热导率，还具有低的热膨胀系数和高的再结晶温度的特点，在高温条件下，可以用作电路嵌入片。由于钼铪碳合金具有优异的耐热和耐蠕变性，使得钼铪碳合金最高的使用温度比TZM合金高，其钼铪碳合金合金可分为MHC-27C、MHC-35C、MHC-40C、MHC-50C、MHC-57C等五种合金。更多信息，请访问：http://molybdenum-alloy.com/chinese/mhc.html。钼铪碳合金（MHC合金）牌号分类更多信息，请访问：MHC合金。

如何提高钼溅射靶材的利用率呢？改善溅射设备和改平面钼溅射靶材为管状旋转钼溅射靶材是目前提高钼溅射靶材利用率的主要手段。在平面磁控溅射过程中，由于正交电磁场对溅射离子的作用关系，钼溅射靶材在溅射过程中将产生不均匀冲蚀(E rosion)现象，从而造成溅射靶材的利用率普遍不高，约30%左右。近年来虽然通过设备改善后可相应提高靶材的利用率，但也只有50%左右。因此，提高靶材利用率的关键在于实现溅射设备的更新换代。更多信息，请访问：钼溅射靶材。另外，靶材原子被氢离子撞击出来后，约有1/6的溅射原子会淀积到真空室内壁或支架上，增加清洁真空设备的费用及停机时间。另外一种提高钼溅射靶材利用率的方法是改平面靶材为管状旋转靶材。相比平面靶材，采用旋转靶结构的设计显示出它的实质性优势。靶的寿命定义为溅射功率乘溅射时间(kW.h)，或者是能在基板上淀积材料的总厚度。从平面靶到旋转靶在几何结构和设计上的变化增加了靶材的利用率，利用率从平面靶的30% ~ 50% 可增加到旋转靶的> 80% 。此外，如果以kW .h来衡量靶材料的寿命,则旋转靶的寿命要比平面靶长5倍。由于旋转靶在溅射过程中不停地旋转，所以在它的表面不会产生重沉积现象。更多信息，请访问：钼溅射靶材。

随着LCD用玻璃基板尺寸的增加，钼靶材，钼溅射靶材规格出现大型化趋势。例如，LCD1代面板生产线玻璃基板尺寸为300mmX400mm，钼靶材要求的尺寸规格为560mmX600mmX6mm；5代面板生产线玻璃基板尺寸为1,100mmX1,300mm，钼靶材要求的尺寸规格为1,430mmX1,700mmX10mm；而随着国内外LCD6代、7代甚至10代面板生产线的相继开工及投产，相应所需的钼溅射靶材的尺寸规格也随之不断增大。更多信息，请访问：钼溅射靶材。由于钼是难熔金属，因此，钼靶材，钼溅射靶材制备方法主要以粉末冶金方法为主，此外，还有高温熔炼法。粉末冶金法制备钼溅射靶材时，其关键在于：(1)选择高纯钼粉作为原料；(2)选择能实现快速致密化的成形烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制备过程严格控制杂质元素的引入。其中钼粉原料的纯度是保证最终钼溅射靶材纯度的最主要因素，其纯度至少需要99.95%以上。另外一种制备钼溅射靶材的方法是采用高温熔炼法，先将钼板坯或者棒坯经电子束或者电弧熔炼炉中进行高温熔炼后形成熔炼钼坯锭，然后通过锻造、挤压或者拉拔的成型工艺进行成型加工，最后经热处理、机加工及背板结合形成钼溅射靶材。相比粉末冶金方法，这种方法制备的钼溅射靶材纯度高、致密性好，但对设备要求高，工艺复杂，靶材的晶粒也相对粗大。更多信息，请访问：钼溅射靶材。

钼靶材，钼溅射靶材特性要求包括：纯度，致密度，靶材与底盘的绑定，晶粒尺寸及尺寸分布以及结晶取向。在溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。为了减少靶材固体中的气孔，提高薄膜性能，其相对密度要求在98%以上。更多信息，请访问：钼溅射靶材。纯度：高纯度是对钼靶材的一个基本特性要求。钼溅射靶材纯度要求越高，溅射薄膜的性能越好。一般钼溅射靶材的纯度至少需要达到99.95%(质量分数，下同)，但随着LCD行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及布线的质量，对钼溅射靶材纯度的要求也相应提高。因此，根据溅射的玻璃基板的尺寸以及使用环境，钼溅射靶材纯度要求在99.99%~99.999%甚至更高。靶材与底盘的绑定：一般钼溅射靶材溅射前必须与无氧铜(或铝等其他材料)底盘连接在一起，使溅射过程中靶材与底盘的导热导电状况良好。绑定后必须经过超声波检验，保证两者的不结合区域小于2%，这样才能满足大功率溅射要求而不致脱落。晶粒尺寸及尺寸分布：通常钼溅射靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。试验研究表明，细小尺寸晶粒靶的溅射速率要比粗晶粒快; 而晶粒尺寸相差较小的靶,淀积薄膜的厚度分布也较均匀。结晶取向：由于溅射时靶材原子容易沿原子六方最紧密排列方向择优溅射出来，因此，为达到最高溅射速率，常通过改变靶材结晶结构的方法来增加溅射速率。靶材的结晶方向对溅射膜层的厚度均匀性影响也较大。因此，获得一定结晶取向的靶材结构对薄膜的溅射过程至关重要。更多信息，请访问：钼溅射靶材。

高纯度是对钼靶材的一个基本特性要求。钼溅射靶材纯度要求越高，溅射薄膜的性能越好。一般钼溅射靶材的纯度至少需要达到99.95%(质量分数，下同)，但随着LCD行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及布线的质量，对钼溅射靶材纯度的要求也相应提高。因此，根据溅射的玻璃基板的尺寸以及使用环境，钼溅射靶材纯度要求在99.99%~99.999%甚至更高。更多信息，请访问：钼溅射靶材。钼溅射靶材作为溅射中的阴极源，固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。此外，在电子行业中，由于碱金属离子(Na+、K+)易在绝缘层中成为可移动性离子，降低元器件性能；铀(U)和钛(Ti)等元素会释放射线，造成器件产生软击穿；铁、镍离子会产生界面漏电及氧元素增加等。因此，在钼溅射靶材的制备过程中，需要严格控制这些杂质元素，最大程度的降低其在靶材中的含量。更多信息，请访问：钼溅射靶材。