钼靶材，钼溅射靶材特性要求包括：纯度，致密度，靶材与底盘的绑定，晶粒尺寸及尺寸分布以及结晶取向。在溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。为了减少靶材固体中的气孔，提高薄膜性能，其相对密度要求在98%以上。更多信息，请访问：钼溅射靶材。

纯度：高纯度是对钼靶材的一个基本特性要求。钼溅射靶材纯度要求越高，溅射薄膜的性能越好。一般钼溅射靶材的纯度至少需要达到99.95%(质量分数，下同)，但随着LCD行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及布线的质量，对钼溅射靶材纯度的要求也相应提高。因此，根据溅射的玻璃基板的尺寸以及使用环境，钼溅射靶材纯度要求在99.99%~99.999%甚至更高。

靶材与底盘的绑定：一般钼溅射靶材溅射前必须与无氧铜(或铝等其他材料)底盘连接在一起，使溅射过程中靶材与底盘的导热导电状况良好。绑定后必须经过超声波检验，保证两者的不结合区域小于2%，这样才能满足大功率溅射要求而不致脱落。

晶粒尺寸及尺寸分布：通常钼溅射靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。试验研究表明，细小尺寸晶粒靶的溅射速率要比粗晶粒快; 而晶粒尺寸相差较小的靶,淀积薄膜的厚度分布也较均匀。

结晶取向：由于溅射时靶材原子容易沿原子六方最紧密排列方向择优溅射出来，因此，为达到最高溅射速率，常通过改变靶材结晶结构的方法来增加溅射速率。靶材的结晶方向对溅射膜层的厚度均匀性影响也较大。因此，获得一定结晶取向的靶材结构对薄膜的溅射过程至关重要。更多信息，请访问：钼溅射靶材。