二硅化钼由于其良好的高温抗氧化性和导电性，已被广泛用作电热元件，实现了工业化应用。与碳化硅发热体相比，MoSi2不仅使用温度高，而且不会发生“老化”问题。但纯MoSi2发热体存在着机械强度低、安装困难等问题。因此，常加入少量第二相进行改性或制成复合发热体。其中MoSi2-SiC复合发热体不仅具有比纯MoSi2还好的抗氧化性，而且SiC颗粒构成骨架结构并承受荷重，可以在1900℃下使用。更多信息，请访问：二硅化钼。 利用MoSi2的热敏电阻特性还可以制备超高温热电偶电极及其保护管。如MoSi22WSi2热电偶具有较高的热电势和灵敏度，可在氧化性气氛中用于1700℃左右的测温。在结构上，为了解决热电偶的保护管问题，常把一个热电极作成管状，使其兼起保护管作用。 焦德辉等人的研究表明，用MoSi2制热电偶保护管不仅能延长热电偶的使用寿命，而且节约测温费用，降低生产成本。MoSi2与熔融金属Na、Li、Pb、Bi、Sn等不起化学反应，可以作为这些金属的各种熔炼器皿。利用其良好的热传导性可制作原子反应堆的热交换器以及电触头材料。更多信息，请访问：二硅化钼。

什么是二硅化钼？二硅化钼英文名：Molybdenum disilicide，化学式：MoSi2，是一种钼的硅化合物，由于两种原子的半径相差不大，电负性比较接近，所以其具有近似于金属与陶瓷的性质。外观：灰色金属色泽；熔点：2030℃，具有导电性，在高温下表面能形成二氧化硅钝化层以阻止进一步氧化，；溶解性：不溶于大部分酸，但可溶于硝酸和氢氟酸。更多信息，请访问：二硅化钼。 虽然二硅化钼具有在1000℃以上高温下有极高的抗氧化性和杨氏模量，但低温时易脆，另外超过1200℃高温会丧失蠕变能力而限制了其作为结构材料的应用，但结合其他材料作为复合材料来提供移动效果。 二硅化钼及以其为基础的材料通常由烧结制得。通过等离子喷涂可用以生产致密的整体式和复合形式制作的材料，为了快速冷却，通常还会包含少量β-改性的二硅化钼。由于其制得的加热元件可以在1800℃高温运作，可用于实验室和生产环境中使用的电动熔炉，生产玻璃，钢，电子，陶瓷，和其他热处理的材料。虽然具有脆性，但可以在高功率操作下不老化，其电阻率不随时间改变。在低氧环境下，由于钝化层不易形成，所以最大工作温度要有所降低。 除了二硅化钼，碳化硅，钛酸钡，钛酸铅等复合材料也可作为电热陶瓷材料。 除外，在微电子工业中，也可以添加到多晶硅中作为分流器来提升导电性，提升信号传播速率。更多信息，请访问：二硅化钼。

 二硅化钼化学性质如下：在氧化气氛中，可在高温燃烧致密的石英玻璃（SiO2）的表面上形成保护膜层，以防止二硅化钼连续氧化；当加热元件的温度是高于1700℃，形成SiO2保护膜，在熔点为1710℃下稠合和SiO2融合成熔融滴，但由于其表面延伸的动作，因此失去其保护能力；在氧化剂作用下，当元素被连续地使用，再次形成保护膜的形式。应当提示的是由于在低温度的强氧化作用，该元素不能长时间被用于400~700℃温度环境下。更多信息，请访问：二硅化钼。 二硅化钼其他特性： (1)足够高的熔点(Tm，2030℃)，若按0.8Tm估算工作温度，其值在1600℃以上； (2)适中的比重(6.24g/cm3)，低于目前航空用Ni基合金的比重(8.44g/cm3)； (3)极好的高温抗氧化性，抗氧化温度可达1700℃左右，是金属硅化物中最好的，与硅基陶瓷相当。 (4)具有脆性2韧性转变，其转变温度(BDTT)一般在900～1000℃左右。这种特性不但使得有可能预报MoSi2在高温下的断裂失效，而且使其可以用传统工艺进行热加工。另一方面，MoSi2在BDTT以下具有脆性，室温断裂韧性较低，在BDTT以上具有塑性，但高温强度低。 (5)具有R’特性，即在一定温度范围内，随着温度的升高其强度基本保持不变，这是MoSi2可作为高温结构材料使用的主要理由之一。 另外，MoSi2具有较低的热胀系数(8.1×10-6K-1)以及良好的电热传导性，可进行放电加工。同时，MoSi2资源丰富，既无环境污染，又可再生制备。更多信息，请访问：二硅化钼。

流化床还原法是钼粉制备方法之一，其通过两阶段流化床还原法直接把粒状或粉末状的MoO3原成金属钼粉。在流化床内，气-固之间能够获得最充分的接触，床内温度最均匀，因而反应速度快，产品性能均匀，氢耗低，成本低；此外，通过对工艺过程的操作，能够有效地实现对钼粉粒度和形状的控制，所以该法生产出的钼粉颗粒很细小，而且呈等轴状，粉末流动性好；此外，与以上的氢气还原法相比，所得到的金属颗粒的烧结致密度高。更多信息，请访问：钼粉。 在还原过程中，第一阶段采用氨作流态化还原气体，在400～650℃还原MoO3为MoO2：3MoO3+2NH3——3MoO2+3H2O+N2↑。第二阶段采用氢气作流态化还原气体，在700～1400℃下将MoO2还原成金属Mo：MoO2+2H2——Mo+2H2O。原料MoO3含0.02%和0.04%的杂质铅和锌，经流化床还原分别可除去90%和97%。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

氢气还原法是传统的钼粉制备方法。此方法制备钼粉的成本比较低，并且，易进行工业化规模生产；产出的钼粉纯度较高，其粒径一般在微米级，但达不到纳米级超细钼粉。然而，该法的制备工艺周期较长、温度高。该法是以钼酸铵为原料，通过焙烧、两阶段还原成钼粉的；所采用的还原剂为氢气。在工业生产应用上，氢气还原法可分为：两次还原法和一次还原法。 其中，二次还原法是当钼酸铵焙烧得到MoO3后，经过两个阶段还原得到钼粉的。更多信息，请访问：钼粉。 它依据了还原生产中实际进行的具体步骤。所得的钼粉呈灰色，不含有结块及机械杂质，但是，颗粒形貌呈较粗大的针状和片状；经沉降法分析，所得的钼粉颗粒范围一般在1～30μm；其制备具体过程为：将钼酸铵在500～600℃温度范围进行焙烧，得到焙烧产物，即白色或黄色粉末MoO3，其反应式如下： x(NH4)2O・yMoO3・2H2O——xMoO3+NH3↑+(x+z)H2O↑。 然后，分别把温度控制在450～650℃和850～950℃之间进行两阶段还原。第一阶段，MoO3还原成深褐色MoO2粉末： MoO3+H2——MoO2+H2O第二阶段，MoO2还原成灰色钼粉： MoO2+H2——Mo+H2O 显然，使用该法存在费时、设备复杂等问题。 此外，也有一部分厂家采用两步法(也称一次还原法)生产金属钼粉，即将焙烧与第一阶段还原合并进行，温度控制在500～600℃。待得到MoO3粉末后，在氢气气氛中逐渐升温到1100℃以上，加热一段时间还原成钼粉。与两次还原法相比，使用该法可以部分简化生产工艺，所得钼粉的纯度与二次还原法相当，颗粒形状也没有大的改变，但是，得到的金属钼粉颗粒较粗，造成由其制备的烧结坯密度较低。所以一般此方法未能在钼丝工业生产中得到应用。 此外，在日本，有文献论述了采用在MoO3作为主要成分的氧化钼粉中添加微量Ni，通常，镍添加量为0.0025%～0.03%(质量分数)，然后在氢气气氛中，从600℃以下(通常为550℃)的低温开始逐渐加热到1000℃以上(1150℃ )的高温，还原氧化钼粉末，得到含有微量镍的金属粉末。该法属于一次还原法，因而生产工艺较简单；同时，由于氧化钼粉末中添加了微量镍，起到了颗粒细化的作用，即起到还原活化的作用。因此，该方法能获得粒度细、烧结后密度高的钼粉；与一般的两次还原法获得的粉末的烧结坯相比较，其烧结坯密度显著提高。然而，此法制备出的钼粉的纯度较低，一般运用在对钼粉纯度不太高的场合。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

等离子还原法是超细钼粉常用的制备方法，其原理是：采用混合等离子反应装置，通过将高压的直流电弧喷射在高频等离子气流上，从而形成一种混合的等离子气流；然后，利用等离子蒸汽法还原，得到超细钼粉。获得的原始的金属粉末注满在DC弧喷射器上，立即被冷却水冷却成超细粉粒。虽然所制备出的钼粉粒度能达到纳米级水平，但产出率低，不能进行工业化大规模生产。更多信息，请访问：钼粉。 等离子还原法也可用于制备其它各种难熔金属的超细粉末，如W、Ta和Nb；所得到粉末颗粒都呈黑色绒毛状，平均粒径约为30～50nm，比较适用于热喷涂用的球形粉末；与普通还原法制备钼粉的技术相比较，该法由于采用了等离子设备等，所以设备要求高，生产成本大大提高。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

蒸发态三氧化钼还原法是超细钼粉制备方法之一。传统制备钼粉的方法因为制备工艺周期长、温度高，钼粒在此过程中易发生长大，通常得不到超细钼粉。目前，超细钼粉的制备方法主要有：氯化钼的蒸汽法、蒸发态三氧化钼还原法、等离子还原法和活化还原法。蒸发态三氧化钼还原法是在使用该方法在1300～1500℃之间得到的钼粉为均匀的球形颗粒，粒径一般为40～70nm；但该法的工艺参数控制比较困难。更多信息，请访问：钼粉。 其中，MoO3-N2和H2-N2气流的混合温度以及MoO3成分所占的浓度都对粉末粒度的影响很大。 该方法制备钼粉是在特定的设备装置下进行的。反应管采用的是α-Al材料。MoO3粉末(纯度达99.9%)装在一个钼舟上，将其置于预热炉和炉膛中。MoO3蒸汽在H2-N2混合气体(150mL・min-1)及N2气(400mL・min-1)的混合气流的夹载下进入反应区。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

活化还原法是超细钼粉制备方法之一。与传统方法相比，该方法的还原温度降低约200～300℃，而且只使用一次还原过程(即属于一次还原法)，工艺较简单；此方法制备的钼粉，其BET平均粒度为0.1μm，且粉末具有良好的烧结性能。该方法以仲钼酸铵(APM)为原料，加入氯化铵，加热分解后再加入HCl，反应生成MoO2Cl2，最后通入氢气，还原生成超细钼粉。在生产过程中NH4Cl起到催化剂的作用，在还原过程中，NH4Cl完全挥发。更多信息，请访问：钼粉。 上述生产过程具体步骤如下：以仲钼酸铵(APM)为原料，其还原过程机理如下： 氯化铵加热时很容易分解：NH4Cl=HCl+NH3。同时APM分解成氧化钼，如MoO3：3(NH4)O・MoO3・4H2O=6NH3+7MoO3+7H2OMoO3即刻和HCl反应：7MoO3+14HCl=7MoO2Cl2+7H2O然后，MoO2Cl2被氢气还原为超细钼粉：7MoO2Cl2+21H2=7Mo+14H2O+14HCl 由以上可知，NH4Cl起到催化剂的作用，在还原过程中，NH4Cl完全挥发。因而，我们整理可得到总反应式：NH4Cl+3(NH4)O・7MoO4・4H2O+21H2=HCl+7NH3+28H2O+7Mo。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

微波等离子法是纳米钼粉制备方法之一，其采用了最新研制出的微波等离子装置，该装置利用高频电磁振荡微波击穿反应气体，形成高温微波等离子体，与其他等离子方法相比，它具有恒定的温度场，不会因反应体或原料的引入而发生等离子火焰的淆乱。同时，该装置具有将生成的CO立即排走以及使产生的Mo迅速冷凝进入到收集装置的优点，所以较羟基热解法能制备出粒度更小的纳米钼粉。更多信息，请访问：钼粉。 同样地，该法以羟基钼为原料，Mo(CO)6在N2等离子体气氛下热解产生粒度均匀一致的纳米级钼粉，一步就可制得平均粒径在50nm以下的钼粉，单颗粒近似球形；同时，该种粉末在常温下空气中的稳定性很好，因而此种纳米钼粉可广泛应用。 此外，电脉冲放电，作为一种发展成熟的电脉冲技术，已成功地应用在纳米粉末的制备上。研究发现，放电过程出现在电流达到的最大值10kA左右，脉冲的长度约为20μs，脉冲能约为80J。在氩气、氧气、氮气中，通过金属脉冲放电可以合成纳米Mo粉等金属、金属氧化物、金属氮化物的纳米粉末。这种典型的粉末制备法所得到的粉末粒度范围约在20～70nm间。 据报道，HermannC.Starck公司用纯氢还原MoCl5或MoCl6制得的钼粉粒度为1～5nm和1～50nm，总杂质含量小于500mg/kg、1000mg/Kg 和200mg/kg的钼粉。 另外，美国与日本都有人研究了用机械合金化的方法制取催化剂所需的Ni～Mo合金纳米微晶结构粉末，平均粒度小于10nm。这种粉末活性异常高，可大大提高催化剂的催化效果。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。

纳米钼粉与其它纳米粉末一样，由于具有量子尺寸效应和表面效应等十分独特的物理特性，所以，纳米粉末具有更广阔的应用领域，纳米粉末及制备技术一直是当代材料科学高科技发展的前沿。同样，纳米钼粉也不例外，近年来，研究不仅仅局限于超细钼粉的制备，而且直接突破了纳米级钼粉的生产制备，这样大大地推动了钼产品的研究。目前，报道的纳米钼粉的制备方法主要有：微波等离子法，等离子氢还原法，机械合金化法等。更多信息，请访问：钼粉。 纳米钼粉制备方法 - 等离子氢还原法等离子还原法的原理是：采用混合等离子反应装置将高压直流电弧喷射在高频等离子气流上，从而形成一种混合等离子气流，利用等离子蒸气还原，初步得到超细钼粉。获得的初始超细钼粉注射在直流弧喷射器上，立即被冷却水冷却成超细粉粒。所得到粉末平均粒径约为30~50 nm，适用于热喷涂用的球形粉末。该方法也可用于制备其他难熔金属的超细粉末，如W、Ta 和Nb。 微波等离子法和等离子氢还原法制备的纳米钼粉纯度较高，形貌较好，但其生产成本大大提高。 纳米钼粉制备方法 - 机械合金化法采用碳素钢、SUS304不锈钢、硬质合金钢等材料的容器和磨球，球磨钼粉，可以制得粒径为6 nm左右的钼粉。这种方法会引起Fe、Fe-Cr-Ni和W在钼中固溶，其固溶量达到百分数级。 此外，电脉冲法和电子束辐照法、冷气流粉碎、金属丝电爆炸法、高强度超声波法、电脉冲放电、封闭循环氢还原法、电子束辐射法等大多只具有实验研究的价值，尚不具备工业化制备的条件。更多信息，请访问：钼及钼粉喷涂。