鉬靶材，鉬濺射靶材特性要求包括：純度，緻密度，靶材與底盤的綁定，晶粒尺寸及尺寸分佈以及結晶取向。在濺射鍍膜的過程中，緻密度較小的濺射靶受轟擊時，由於靶材內部孔隙記憶體在的氣體突然釋放，造成大尺寸的靶材顆粒或微粒飛濺，或成膜之後膜材受二次電子轟擊造成微粒飛濺，這些微粒的出現會降低薄膜品質。為了減少靶材固體中的氣孔，提高薄膜性能，其相對密度要求在98%以上。更多資訊，請訪問：鉬濺射靶材。

純度：高純度是對鉬靶材的一個基本特性要求。鉬濺射靶材純度要求越高，濺射薄膜的性能越好。一般鉬濺射靶材的純度至少需要達到99.95%(品質分數，下同)，但隨著LCD行業玻璃基板尺寸的不斷提高，要求配線的長度延長、線寬變細，為了保證薄膜的均勻性以及佈線的品質，對鉬濺射靶材純度的要求也相應提高。因此，根據濺射的玻璃基板的尺寸以及使用環境，鉬濺射靶材純度要求在99.99%~99.999%甚至更高。

靶材與底盤的綁定：一般鉬濺射靶材濺射前必須與無氧銅(或鋁等其他材料)底盤連接在一起，使濺射過程中靶材與底盤的導熱導電狀況良好。綁定後必須經過超聲波檢驗，保證兩者的不結合區域小於2%，這樣才能滿足大功率濺射要求而不致脫落。

晶粒尺寸及尺寸分佈：通常鉬濺射靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。試驗研究表明，細小尺寸晶粒靶的濺射速率要比粗晶粒快; 而晶粒尺寸相差較小的靶,澱積薄膜的厚度分佈也較均勻。

結晶取向：由於濺射時靶材原子容易沿原子六方最緊密排列方向擇優濺射出來，因此，為達到最高濺射速率，常通過改變靶材結晶結構的方法來增加濺射速率。靶材的結晶方向對濺射膜層的厚度均勻性影響也較大。因此，獲得一定結晶取向的靶材結構對薄膜的濺射過程至關重要。更多資訊，請訪問：鉬濺射靶材。