氫氣還原法是傳統的鉬粉製備方法。此方法製備鉬粉的成本比較低，並且，易進行工業化規模生產；產出的鉬粉純度較高，其粒徑一般在微米級，但達不到納米級超細鉬粉。然而，該法的製備工藝週期較長、溫度高。該法是以鉬酸銨為原料，通過焙燒、兩階段還原成鉬粉的；所採用的還原劑為氫氣。在工業生產應用上，氫氣還原法可分為：兩次還原法和一次還原法。 其中，二次還原法是當鉬酸銨焙燒得到MoO3後，經過兩個階段還原得到鉬粉的。更多資訊，請訪問：鉬粉。 它依據了還原生產中實際進行的具體步驟。所得的鉬粉呈灰色，不含有結塊及機械雜質，但是，顆粒形貌呈較粗大的針狀和片狀；經沉降法分析，所得的鉬粉顆粒範圍一般在1～30μm；其製備具體過程為：將鉬酸銨在500～600℃溫度範圍進行焙燒，得到焙燒產物，即白色或黃色粉末MoO3，其反應式如下： x(NH4)2O・yMoO3・2H2O——xMoO3+NH3↑+(x+z)H2O↑。 然後，分別把溫度控制在450～650℃和850～950℃之間進行兩階段還原。第一階段，MoO3還原成深褐色MoO2粉末： MoO3+H2——MoO2+H2O第二階段，MoO2還原成灰色鉬粉： MoO2+H2——Mo+H2O 顯然，使用該法存在費時、設備複雜等問題。 此外，也有一部分廠家採用兩步法(也稱一次還原法)生產金屬鉬粉，即將焙燒與第一階段還原合併進行，溫度控制在500～600℃。待得到MoO3粉末後，在氫氣氣氛中逐漸升溫到1100℃以上，加熱一段時間還原成鉬粉。與兩次還原法相比，使用該法可以部分簡化生產工藝，所得鉬粉的純度與二次還原法相當，顆粒形狀也沒有大的改變，但是，得到的金屬鉬粉顆粒較粗，造成由其製備的燒結坯密度較低。所以一般此方法未能在鉬絲工業生產中得到應用。 此外，在日本，有文獻論述了採用在MoO3作為主要成分的氧化鉬粉中添加微量Ni，通常，鎳添加量為0.0025%～0.03%(品質分數)，然後在氫氣氣氛中，從600℃以下(通常為550℃)的低溫開始逐漸加熱到1000℃以上(1150℃ )的高溫，還原氧化鉬粉末，得到含有微量鎳的金屬粉末。該法屬於一次還原法，因而生產工藝較簡單；同時，由於氧化鉬粉末中添加了微量鎳，起到了顆粒細化的作用，即起到還原活化的作用。因此，該方法能獲得粒度細、燒結後密度高的鉬粉；與一般的兩次還原法獲得的粉末的燒結坯相比較，其燒結坯密度顯著提高。然而，此法製備出的鉬粉的純度較低，一般運用在對鉬粉純度不太高的場合。更多資訊，請訪問：鉬及鉬粉噴塗。

流化床還原法是鉬粉製備方法之一，其通過兩階段流化床還原法直接把粒狀或粉末狀的MoO3原成金屬鉬粉。在流化床內，氣-固之間能夠獲得最充分的接觸，床內溫度最均勻，因而反應速度快，產品性能均勻，氫耗低，成本低；此外，通過對工藝過程的操作，能夠有效地實現對鉬粉粒度和形狀的控制，所以該法生產出的鉬粉顆粒很細小，而且呈等軸狀，粉末流動性好；此外，與以上的氫氣還原法相比，所得到的金屬顆粒的燒結緻密度高。更多資訊，請訪問：鉬粉。 在還原過程中，第一階段採用氨作流態化還原氣體，在400～650℃還原MoO3為MoO2：3MoO3+2NH3——3MoO2+3H2O+N2↑。第二階段採用氫氣作流態化還原氣體，在700～1400℃下將MoO2還原成金屬Mo：MoO2+2H2——Mo+2H2O。原料MoO3含0.02%和0.04%的雜質鉛和鋅，經流化床還原分別可除去90%和97%。更多資訊，請訪問：鉬及鉬粉噴塗。

二矽化鉬化學性質如下：在氧化氣氛中，可在高溫燃燒緻密的石英玻璃（SiO2）的表面上形成保護膜層，以防止二矽化鉬連續氧化；當加熱元件的溫度是高於1700℃，形成SiO2保護膜，在熔點為1710℃下稠合和SiO2融合成熔融滴，但由於其表面延伸的動作，因此失去其保護能力；在氧化劑作用下，當元素被連續地使用，再次形成保護膜的形式。應當提示的是由於在低溫度的強氧化作用，該元素不能長時間被用於400~700℃溫度環境下。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。 二矽化鉬其他特性： (1)足夠高的熔點(Tm，2030℃)，若按0.8Tm估算工作溫度，其值在1600℃以上； (2)適中的比重(6.24g/cm3)，低於目前航空用Ni基合金的比重(8.44g/cm3)； (3)極好的高溫抗氧化性，抗氧化溫度可達1700℃左右，是金屬矽化物中最好的，與矽基陶瓷相當。 (4)具有脆性2韌性轉變，其轉變溫度(BDTT)一般在900～1000℃左右。這種特性不但使得有可能預報MoSi2在高溫下的斷裂失效，而且使其可以用傳統工藝進行熱加工。另一方面，MoSi2在BDTT以下具有脆性，室溫斷裂韌性較低，在BDTT以上具有塑性，但高溫強度低。 (5)具有R’特性，即在一定溫度範圍內，隨著溫度的升高其強度基本保持不變，這是MoSi2可作為高溫結構材料使用的主要理由之一。 另外，MoSi2具有較低的熱脹係數(8.1×10-6K-1)以及良好的電熱傳導性，可進行放電加工。同時，MoSi2資源豐富，既無環境污染，又可再生製備。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。

什麼是二矽化鉬？二矽化鉬英文名：Molybdenum disilicide，化學式：MoSi2，是一種鉬的矽化合物，由於兩種原子的半徑相差不大，電負性比較接近，所以其具有近似於金屬與陶瓷的性質。外觀：灰色金屬色澤；熔點：2030℃，具有導電性，在高溫下表面能形成二氧化矽鈍化層以阻止進一步氧化，；溶解性：不溶於大部分酸，但可溶於硝酸和氫氟酸。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。 雖然二矽化鉬具有在1000℃以上高溫下有極高的抗氧化性和楊氏模量，但低溫時易脆，另外超過1200℃高溫會喪失蠕變能力而限制了其作為結構材料的應用，但結合其他材料作為複合材料來提供移動效果。 二矽化鉬及以其為基礎的材料通常由燒結制得。通過等離子噴塗可用以生產緻密的整體式和複合形式製作的材料，為了快速冷卻，通常還會包含少量β-改性的二矽化鉬。由於其制得的加熱元件可以在1800℃高溫運作，可用於實驗室和生產環境中使用的電動熔爐，生產玻璃，鋼，電子，陶瓷，和其他熱處理的材料。雖然具有脆性，但可以在高功率操作下不老化，其電阻率不隨時間改變。在低氧環境下，由於鈍化層不易形成，所以最大工作溫度要有所降低。 除了二矽化鉬，碳化矽，鈦酸鋇，鈦酸鉛等複合材料也可作為電熱陶瓷材料。 除外，在微電子工業中，也可以添加到多晶矽中作為分流器來提升導電性，提升信號傳播速率。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。

二矽化鉬由於其良好的高溫抗氧化性和導電性，已被廣泛用作電熱元件，實現了工業化應用。與碳化矽發熱體相比，MoSi2不僅使用溫度高，而且不會發生“老化”問題。但純MoSi2發熱體存在著機械強度低、安裝困難等問題。因此，常加入少量第二相進行改性或製成複合發熱體。其中MoSi2-SiC複合發熱體不僅具有比純MoSi2還好的抗氧化性，而且SiC顆粒構成骨架結構並承受荷重，可以在1900℃下使用。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。 利用MoSi2的熱敏電阻特性還可以製備超高溫熱電偶電極及其保護管。如MoSi22WSi2熱電偶具有較高的熱電勢和靈敏度，可在氧化性氣氛中用於1700℃左右的測溫。在結構上，為了解決熱電偶的保護管問題，常把一個熱電極作成管狀，使其兼起保護管作用。 焦德輝等人的研究表明，用MoSi2制熱電偶保護管不僅能延長熱電偶的使用壽命，而且節約測溫費用，降低生產成本。MoSi2與熔融金屬Na、Li、Pb、Bi、Sn等不起化學反應，可以作為這些金屬的各種熔煉器皿。利用其良好的熱傳導性可製作原子反應堆的熱交換器以及電觸頭材料。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。