三氧化钨的带隙宽度为2.5～3.5eV，是重要的过渡金属n-型半导体氧化物材料之一。三氧化钨薄膜在气致变色、电致变色等方面表现出良好特性，并且具有可循环可逆性好，使用寿命长，相对价格等优点。因此在大面积平面显示器、智能窗、变色窗等新兴领域应用前景广阔。但三氧化钨薄膜还存在选择性不高，材料电阻大等弱点，技术人员发现在薄膜中掺杂可改变薄膜的某方面特性。掺杂后，改善薄膜的响应与恢复时间，提高致色效率，提高薄膜记忆存储能力等优点一一呈现。更多信息，请访问：http://cn.chinatungsten.com/Tungsten-Oxide/Tungsten-Trioxide.html

三氧化钨（化学式：WO3）是钨(VI)的氧化物，是从钨矿制取单质钨工业的重要中间体。该冶炼过程涉及两步：第一步用碱处理钨矿，制得WO3，然后用碳或氢气还原三氧化钨，得到金属钨：WO3 + 3H2 → W + 3H2O 更多信息，请访问：http://tungsten-powder.com/chinese/Tungsten_Trioxide.html