JIS#400碳化硅微粉D0最大值为75.0，D3最大值为58.0，D50较度中值为30.0±2.0，D94最小值为20.0。JIS#400碳化硅微粉的化学成分为SIC不小于99.00%，F•C不大于0.12%，Fe2O3不大于0.12%。该产品粒度执行标准参照日本工业JIS R6001-1998标准，化学成分采用国标GB/T3045-2003碳化硅化学分析方法。为了保证碳化硅微粉作为切割刃料的均衡自锐性，粒度形状为等积而具刀锋。该产品粒度分布集中且均匀。JIS#400绿碳化硅微粉表面经过特殊处理，微粉比表面积略大，外表干净清洁，与聚乙二醇等切削液有很好的适配性。具体信息，详见：http://www.silicon-carbide.cn/chinese/silicon-carbide-powder.html。

碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。   因其3.2的比重及高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，近来在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的偶合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。   纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。更多信息，请见：http://www.silicon-carbide.cn/chinese/index.html。