碳化硅半导体抗热性能极佳，能够应对“极端环境”。据称，碳化硅晶片甚至可以经受住金星或太阳附近的热度。前期的研究表明，即使在560摄氏度的高温中，碳化硅晶片在没有冷却装置的情况下仍能正常运作。碳化硅晶片在通讯领域具有广阔的运用前景，能让高清晰电视发射器提供更清晰的信号和图像；也可以用在喷气和汽车引擎中，监测电机运转。同时，它还可运用于太空探索领域，帮助核动力飞船执行更繁杂的任务。法国物理学家预言，在芯片制造领域，碳化硅取代硅已为时不远。更多信息，请见：http://www.silicon-carbide.cn/chinese/index.html。

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。编辑本段发展  关于碳化硅的几个事件   1905年 第一次在陨石中发现碳化硅   1907年 第一只碳化硅发光二极管诞生   1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SIC作为重要的电子材料   1958年 在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流   1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法   1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。具体信息，请见：http://www.silicon-carbide.cn/chinese/silicon-carbide-brick.html。