提高二硅化钼涂层使用寿命的主要方法有：(1)化学和物理气相沉积法；(2)在MoSi2中添加第3种组元达到以下目的：(a)使保护膜成为复合氧化膜以提高保护膜的抗氧化性能；(b)使其热膨胀系数尽量接近基体材料的热胀系数，以防止冷却时保护膜开裂；(c)改善MoSi2的低温形变能力；(d)制得与SiO2形成共晶的氧化膜，降低保护膜的熔点，以便在更低温度(<1200℃)下发挥裂纹自修补的功能。但上述方法均未获得实质性的进展，目前只限于短时间内使用。如已用于涡轮进口温度超过1400℃的特殊发动机涡轮叶片的Mo合金涂层；用于导弹尾喷管的Mo或Nb合金的涂层；用于人造卫星等火箭推进器Nb2W2Ta合金的涂层等。更多信息，请访问：二硅化钼。

二硅化钼涂层发展史：
1967年苏联化学物理研究所А.Г.马尔兹汉等发明了自蔓延(SHS)冶金技术。1976年苏联联合30多家不同组织机构参与了SHS工艺方法的研究和开发，研制合成出200多种材料，其中至少2种以上投入生产，如二硅化钼和碳化钛，后者用作工业金刚石的代用品；前者作为加热元件。目前世界上瑞典“康达尔”公司生产的加热元件质量更好，但价格较昂贵。

最近几年来，美国、日本和波兰等国对SHS方法亦产生了浓厚的兴趣。国内天津化工所研究二硅化钼最早。相继在洛阳、上海生产硅化钼加热元件，但产品质量与国外有一定距离。由于二硅化钼制品最大缺点——脆性，同时国内生产的钼制品不致密、表面不光滑和缺陷较多。

近年来，大量文献报道了等离子喷涂或反应性等离子喷涂MoSi2基复合材料及其涂层。一致认为，低压喷涂所得涂层最致密、含氧量低、化学成分均匀。一般集成电路在制造过程中要进行1000℃以上的高温处理，在比电阻比多晶硅小的硅化物中，MoSi2和WSi2等难熔硅化物就能经受如此高的温度。因此，MoSi2也是制作集成电路栅极的理想材料之一。Brestchneider等人引用离子溅射法制备出的MoSi2薄膜涂层，可以满足大规模集成电路的各种要求。在高温(>1200℃)下，MoSi2表面被氧化形成致密的SiO2薄膜。由于SiO2粘性较小，容易流进裂纹中去，从而起到修补裂纹或裂纹自愈合的作用。但传统的包埋法MoSi2。更多信息，请访问：二硅化钼。