三氧化鎢的帶隙寬度為2.5～3.5eV，是重要的過渡金屬n-型半導體氧化物材料之一。三氧化鎢薄膜在氣致變色、電致變色等方面表現出良好特性，並且具有可迴圈可逆性好，使用壽命長，相對價格等優點。因此在大面積平面顯示器、智慧窗、變色窗等新興領域應用前景廣闊。但三氧化鎢薄膜還存在選擇性不高，材料電阻大等弱點，技術人員發現在薄膜中摻雜可改變薄膜的某方面特性。摻雜後，改善薄膜的回應與恢復時間，提高致色效率，提高薄膜記憶存儲能力等優點一一呈現。更多資訊，請訪問：http://cn.chinatungsten.com/Tungsten-Oxide/Tungsten-Trioxide.html

三氧化鎢（化學式：WO3）是鎢(VI)的氧化物，是從鎢礦制取單質鎢工業的重要中間體。該冶煉過程涉及兩步：第一步用堿處理鎢礦，制得WO3，然後用碳或氫氣還原三氧化鎢，得到金屬鎢：WO3 + 3H2 → W + 3H2O 更多資訊，請訪問：http://tungsten-powder.com/chinese/Tungsten_Trioxide.html