高純度是對鉬靶材的一個基本特性要求。鉬濺射靶材純度要求越高，濺射薄膜的性能越好。一般鉬濺射靶材的純度至少需要達到99.95%(品質分數，下同)，但隨著LCD行業玻璃基板尺寸的不斷提高，要求配線的長度延長、線寬變細，為了保證薄膜的均勻性以及佈線的品質，對鉬濺射靶材純度的要求也相應提高。因此，根據濺射的玻璃基板的尺寸以及使用環境，鉬濺射靶材純度要求在99.99%~99.999%甚至更高。更多資訊，請訪問：鉬濺射靶材。

鉬濺射靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。此外，在電子行業中，由於鹼金屬離子(Na+、K+)易在絕緣層中成為可移動性離子，降低元器件性能；鈾(U)和鈦(Ti)等元素會釋放射線，造成器件產生軟擊穿；鐵、鎳離子會產生介面漏電及氧元素增加等。因此，在鉬濺射靶材的製備過程中，需要嚴格控制這些雜質元素，最大程度的降低其在靶材中的含量。更多資訊，請訪問：鉬濺射靶材。