提高二矽化鉬塗層使用壽命的主要方法有：(1)化學和物理氣相沉積法；(2)在MoSi2中添加第3種組元達到以下目的：(a)使保護膜成為複合氧化膜以提高保護膜的抗氧化性能；(b)使其熱膨脹係數儘量接近基體材料的熱脹係數，以防止冷卻時保護膜開裂；(c)改善MoSi2的低溫形變能力；(d)制得與SiO2形成共晶的氧化膜，降低保護膜的熔點，以便在更低溫度(<1200℃)下發揮裂紋自修補的功能。但上述方法均未獲得實質性的進展，目前只限於短時間內使用。如已用於渦輪進口溫度超過1400℃的特殊發動機渦輪葉片的Mo合金塗層；用於導彈尾噴管的Mo或Nb合金的塗層；用於人造衛星等火箭推進器Nb2W2Ta合金的塗層等。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。

二矽化鉬塗層發展史：
1967年蘇聯化學物理研究所А.Г.馬爾茲漢等發明了自蔓延(SHS)冶金技術。1976年蘇聯聯合30多家不同組織機構參與了SHS工藝方法的研究和開發，研製合成出200多種材料，其中至少2種以上投入生產，如二矽化鉬和碳化鈦，後者用作工業金剛石的代用品；前者作為加熱元件。目前世界上瑞典“康達爾”公司生產的加熱元件品質更好，但價格較昂貴。

最近幾年來，美國、日本和波蘭等國對SHS方法亦產生了濃厚的興趣。國內天津化工所研究二矽化鉬最早。相繼在洛陽、上海生產矽化鉬加熱元件，但產品品質與國外有一定距離。由於二矽化鉬製品最大缺點——脆性，同時國內生產的鉬製品不緻密、表面不光滑和缺陷較多。

近年來，大量文獻報導了等離子噴塗或反應性等離子噴塗MoSi2基複合材料及其塗層。一致認為，低壓噴塗所得塗層最緻密、含氧量低、化學成分均勻。一般積體電路在製造過程中要進行1000℃以上的高溫處理，在比電阻比多晶矽小的矽化物中，MoSi2和WSi2等難熔矽化物就能經受如此高的溫度。因此，MoSi2也是製作積體電路柵極的理想材料之一。Brestchneider等人引用離子濺射法製備出的MoSi2薄膜塗層，可以滿足大型積體電路的各種要求。在高溫(>1200℃)下，MoSi2表面被氧化形成緻密的SiO2薄膜。由於SiO2粘性較小，容易流進裂紋中去，從而起到修補裂紋或裂紋自癒合的作用。但傳統的包埋法MoSi2。更多資訊，請訪問：二矽化鉬。